静电放电（ESD）一直是电子产品的重大威胁，严重的还会造成芯片失效。在设计阶段需对芯片受 ESD 冲击后的耦合情况进行预测评估，并为芯片设计有效的 ESD 防护，实现系统级高效 ESD 设计（SEED）成为发展趋势。文章研究了瞬态抑制二极管（TVS）对静电的响应情况，并将 TVS 分为回滞型与非回滞型，分别建立了 SPICE 模型。提出了一种新的 ESD 发生器电路模型和全波模型，所得电流波形与实测数据吻合较好。两种模型的电流特征值与IEC 61000-4-2:2008 要求的偏差较小。为复现完整的系统级 ESD 测试环境提供了支持，也为探索芯片在系统级 ESD测试下的行为模式打下基础。

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