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来源: 《安全与电磁兼容》2020年第6期 作者:艾·西加 亚历山大·博耶 吴建飞 * 郑亦菲

集成电路技术发展对 电磁兼容的影响


摘要 介绍了集成电路制造业发展的主要趋势,包括复杂度、工作频 率、器件性能、供电电压以及器件之间数据交换等。总结了微米级 到纳米级 CMOS 工艺集成电路性能对应的工艺发展节点,讨论了技 术演变对集成电路电磁兼容(EMC)的影响 , 并基于最近几年发表 的一系列学术论文综述了集成电路电磁兼容的研究现状。

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