文章综述了半导体器件在电离辐射与电磁脉冲（EMP）协同作用下的效应研究进展，分析了总电离剂量（TID）效应与 EMP 效应的单独作用机理，以及现有研究关注的协和效应对典型单管器件和芯片级器件性能的影响。研究表明，TID 效应导致的氧化物陷阱电荷与界面态积累，会显著改变器件的阈值电压、漏电流等电学参数，进而降低其抗 EMP 干扰的能力 ；而 EMP 诱导的瞬态过电压或过电流则可能在 TID 造成缺陷处引发更严重的损伤。这种协和效应通常导致比单一因素更严重的性能退化或功能失效，对在轨卫星、核装置等复合辐射环境中的电子系统可靠性构成严峻挑战。

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