瞬态电压抑制器（TVS）二极管作为常用的抑制瞬态电磁干扰的防护器件，在芯片的防护中有关键作用。文章采用传输线脉冲（TLP）测试方法，对有一定代表性的六款 TVS 二极管在 10~1 000 ns 五组脉冲宽度、0.5~1 800 V 的 TLP 干扰信号作用下的瞬态响应进行了多角度分析。重点研究了工程中常用的三款不同型号的数字芯片和模拟芯片在TVS 二级管防护后，受到不同脉宽 TLP 应力作用下的防护特性。测试结果表明 ：芯片并联 TVS 二极管后，多数情况下即使 TLP 电压达到 1 800 V，TVS 二极管对芯片仍有较好的防护。这种基于不同脉宽特性的研究思路，为不同应用场景的器件防护奠定了基础，实测数据为精确建立 TVS 仿真模型提供了可能。

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