当前电磁环境日趋复杂，超宽带、高功率等强电磁技术已经成熟，对信息化装备构成了越来越严重的威胁，限幅器的应用需求越发迫切。文章从半导体限幅器的防护原理及电路结构入手，结合电磁脉冲防护及高功率微波防护的典型应用，详细介绍了电磁防护限幅器的技术路线，对比了 Si、GaAs 限幅器的特性，指出兼具 Si 及 GaAs 限幅器优势的高频、低插损、耐高功率 GaN 限幅器将是未来电磁防护限幅器的发展趋势。

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