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《安全与电磁兼容》2024年第3期
作者:陈政宇 李峙 孙美秋 * 崔强 项道才
低噪声放大器的注入损伤效应研究
低噪声放大器是射频前端电路中非常敏感的部分,易受到强电磁环境辐射经天线耦合所产生大电压 / 电流的影响,出现性能降级甚至损伤击穿等问题。文章以典型低噪声放大器作为研究对象,分别采用连续波和脉冲波信号对低噪声放大器开展注入损伤试验,以其增益作为主要参考参数,研究了低噪声放大器的注入损伤效应。分析了注入信号中心频率、脉冲重复频率和脉冲宽度等参数对低噪声放大器的损伤阈值的影响,旨在为射频电路器件级的电磁安全防护提供参考。